Специ-
фикация
Паспорт Наименование
прибора
UCES ICnom Tjmax Uisol Тип корпуса Габариты
(ширина/длина)
      [В] [A] [°C] [В]   [мм]
MIDA-HB12FA-300N 1200 300 175 4000 MIDA 62/152
MIDA-HB12FA-450N 1200 450 175 4000 MIDA 62/152
MIDA-HB12FA-600N 1200 600 175 4000 MIDA 62/152
MIDA-HB17FA-300N 1700 300 175 4000 MIDA 62/152
MIDA-HB17FA-450N 1700 450 175 4000 MIDA 62/152
MIAA-xx12FA-200N 1200 200 175 4000 MIAA 61,4/106,4
MIAA-xx12FA-300N 1200 300 175 4000 MIAA 61,4/106,4
MIAA-xx12FA-400N 1200 400 175 4000 MIAA 61,4/106,4
MIFA-xx12FA-100N 1200 100 175 4000 MIFA 34/94
MIFA-xx12FA-150N 1200 150 175 4000 MIFA 34/94
MIFA-xx12FA-200N 1200 200 175 4000 MIFA 34/94
MIAA-xx17FA-150N 1700 150 175 4000 MIAA 61,4/106,4
MIAA-xx17FA-200N 1700 200 175 4000 MIAA 61,4/106,4
MIAA-xx17FA-300N 1700 300 175 4000 MIAA 61,4/106,4
MIFA-xx17FA-075N 1700 75 175 4000 MIFA 34/94
MIFA-xx17FA-100N 1700 100 175 4000 MIFA 34/94
MIFA-xx17FA-150N 1700 150 175 4000 MIFA 34/94

 

Пример маркировки:

MIAA -  HB 12  FA   200
1    2  4  

1.Исполнение:
    MIAA – корпус 62 мм
    MIFA – корпус 34 мм
2. Схема включения:
    HB – полумост
    HC – верхний чоппер
    LC – нижний чоппер   

3. Класс модуля по максимально допустимому напряжению коллектор-эмиттер:
    12 – 1200 (В); 17 – 1700 (В)
4. Модификация чипов IGBT, включая технологию изготовления кристаллов
5. Номинальный ток модуля
6. Климатическое исполнение

Паспорт на IGBT модули

Технологическая линия производства IGBT модулей

Особенности применения IGBT модулей производства ЗАО "Протон-Электротекс"